文献

J-GLOBAL ID：201702290154363720   整理番号：17A0124323

高電圧4H-SiC PiN整流器のメサ形状の数値的および実験的研究【Powered by NICT】

Numerical and experimental study of the mesa configuration in high-voltage 4H-SiC PiN rectifiers

著者 (5件)： Deng Xiaochuan (University of Electronic Science and Technology of China) ,  Chen Xixi (University of Electronic Science and Technology of China) ,  Li Chengzhan (Power Electronics Business Unit, Zhuzhou CSR Times Electric Co., Ltd.) ,  Shen Huajun (Institute of Optics and Electronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhang Jinping (University of Electronic Science and Technology of China)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 25  号： 8  ページ： 087201-1-087201-05  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高電圧応用のためのSiC PiN整流器の逆破壊特性に及ぼすメサ形状の影響を本研究で解析した。三幾何学的パラメータ,すなわち,メサ高さ,メサ角度とメサ底隅角部,を数値シミュレーションにより調べた。シミュレーション結果は,深いメサ高さ,小さなメサ角と平滑メサ底部(サブトレンチなし)は滑らかで均一な表面電場分布に起因する高い絶縁破壊電圧に寄与する可能性があることを示した。サブトレンチ(メサ高さ2.2μm,20°のメサ角)の有無で最適化されたメサ構造を実験で実証した。最大4kVの逆ブロッキング電圧と100cm~2で3.7Vの順方向電圧降下は30μm厚N -エピ層を用いて作製したダイオードから得られる,理想的な平行平面値の85%に相当した。JTEドーズの関数としてブロッキング特性もと界面電荷のないPiN整流器について検討した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ブロッキング ,  *電圧 ,  平行平面 ,  最適化 ,  *炭化ケイ素 ,  電圧降下 ,  *整流器 ,  界面 ,  メサ構造 ,  電荷
準シソーラス用語： 絶縁破壊電圧 ,  電界分布 ,  数値シミュレーション ,  幾何学的パラメータ ,  *4H-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 炭化けい素 ,  メサ配置 ,  PiN整流器 ,  破壊電圧

分類 (4件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  Josephson接合・素子  (BM04043E) ,  誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高電圧 ,  4H-SiC ,  整流器 ,  数値 ,  実験的研究