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J-GLOBAL ID：201702290501101078   整理番号：17A0412317

自己組織化界面活性剤層を用いた有機薄膜トランジスタのための容易な高分子ゲート誘電体表面改質【Powered by NICT】

Facile polymer gate dielectric surface-modification for organic thin-film transistors using self-assembled surfactant layer

著者 (4件)： Yu Seong Hoon (School of Chemical Engineering and Material Science, Chung-Ang University, Seoul, 156-756, South Korea) ,  Cho Jangwhan (School of Chemical Engineering and Material Science, Chung-Ang University, Seoul, 156-756, South Korea) ,  Ha Jae Un (School of Chemical Engineering and Material Science, Chung-Ang University, Seoul, 156-756, South Korea) ,  Chung Dae Sung (School of Chemical Engineering and Material Science, Chung-Ang University, Seoul, 156-756, South Korea)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 41  ページ： 327-332  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機薄膜トランジスタ(OTFTs)のための容易な高分子ゲート誘電体表面修飾方法を実証した。添加剤としてドデシル硫酸ナトリウムとトリデカフルオロヘキサン 1 スルホン酸 カリウム塩と混合しスピンコーティングPVP溶液によるポリ(4 ビニルフェノール)(PVP)誘電体のトップ表面上に自己集合した界面活性剤層を導入した。界面活性剤で改質したPVP層は表面平滑性と疎水性の点で元のPVP層に比べて種々の利点を獲得し,接触角測定,原子間力顕微鏡分析,すれすれ入射X線回折と近吸収端X線吸収微細構造分光法により確認された。活性層と界面活性剤で改質したPVP誘電層として従来の半導体ポリ(2,5-ビス(3-ヘキサデシルチオフェン-2-イル)チエノ[3,2-b]チオフェン)得られたOTFTは元のPVPを有するOTFT上の全体アセンデンシーを明らかにし,特に運転ヒステリシスと信頼性の点で。PVPの表面特性のみならず,OTFT性能に及ぼす界面活性剤の疎水性の影響を種々のキャラクタリゼーションツールと関連させて議論した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *表面改質 ,  接触角 ,  *界面活性剤 ,  表面性状 ,  自己集合 ,  原子間力顕微鏡 ,  平滑度 ,  ヒステリシス ,  スピンコーティング ,  活性層 ,  疎水性 ,  *自己組織化 ,  *ゲート絶縁膜 ,  脂肪族アルコール ,  無機酸エステル
準シソーラス用語： *有機薄膜トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 高分子ゲート誘電体 ,  界面活性剤層 ,  有機薄膜トランジスタ ,  ポリ(4 ビニルフェノール)

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： ドデシル硫酸ナトリウム

タイトルに関連する用語 (6件)： 自己組織化 ,  界面活性剤 ,  有機薄膜トランジスタ ,  高分子 ,  ゲート誘電体 ,  表面改質