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J-GLOBAL ID：201702290565193341   整理番号：17A0451321

多結晶シリコンインゴットにおける気泡欠陥の形成に対する熱力学的モデル【Powered by NICT】

A thermodynamic model for the formation of bubble defects in multicrystalline silicon ingot

著者 (6件)： Gan Chuanhai (Fujian Key Laboratory of Advanced Materials, College of Materials, Xiamen University, Xiamen 361005, China) ,  Huang Liuqing (Fujian Key Laboratory of Advanced Materials, College of Materials, Xiamen University, Xiamen 361005, China) ,  Lai Huixian (Fujian Key Laboratory of Advanced Materials, College of Materials, Xiamen University, Xiamen 361005, China) ,  Sheng Zhilin (College of Materials Science and Engineering, Beifang University of Nationalities, Yinchuan 750021, China) ,  Xing Pengfei (School of Materials and Metallurgy, Northeastern University, Shenyang 110004, China) ,  Luo Xuetao (Fujian Key Laboratory of Advanced Materials, College of Materials, Xiamen University, Xiamen 361005, China)
資料名： Applied Thermal Engineering  (Applied Thermal Engineering)
巻： 113  ページ： 1358-1365  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0667B  ISSN： 1359-4311  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 太陽電池用の多結晶シリコンの調製が太陽電池産業に重要である。これまで,多結晶シリコンの方向性凝固中の気泡欠陥の形成を明確に検討されていない。本実験では,球形気泡欠陥はインゴット頂部でランダムに分布した,気泡欠陥の表面をSiCまたはSi_3N_4粒子で覆われていた。熱力学モデルは,気泡欠陥の形成を説明するために提案した。バブル欠陥は,シリコン融液中のガス状SiOによるものであった。SiOを溶融シリコンと酸素の反応生成物であった。酸素は石英るつぼで溶解し,シリコン融液への破れたSi_3N_4被覆を通して拡散した。シリコン融液中の気体SiOは核形成し,不溶性粒子に対する気泡,SiCとSi_3N_4などへ成長し,最終的に固体シリコン中に含まれていた,気泡欠陥を生成した。熱力学の原理によれば,形成過程を詳細に検討した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 石英 ,  不溶性 ,  ケイ素 ,  *気泡欠陥 ,  坩堝 ,  炭化ケイ素 ,  *熱力学 ,  酸素 ,  *熱力学模型 ,  *気泡 ,  *ポリシリコン ,  太陽電池 ,  核形成 ,  *インゴット
準シソーラス用語： 融液 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 多結晶シリコン ,  方向性凝固 ,  熱力学 ,  気泡欠陥 ,  核形成

分類 (1件)： 相変化を伴う熱伝達  (PA02040V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 多結晶シリコン ,  インゴット ,  気泡欠陥 ,  熱力学的モデル