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J-GLOBAL ID：201702290890542634   整理番号：17A0412389

Tiナノ層に埋め込まれたTaO_xベース素子の抵抗スイッチング挙動【Powered by NICT】

Resistive switching behaviors of Ti nano-layer embedded TaO_x-based devices

著者 (9件)： Jeon Heeyoung (Department of Nanoscale Semiconductor Engineering, Hanyang University, Seoul, 133-791, South Korea) ,  Park Jingyu (Department of Nanoscale Semiconductor Engineering, Hanyang University, Seoul, 133-791, South Korea) ,  Jang Woochool (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul, 133-791, South Korea) ,  Kim Hyunjung (Department of Nanoscale Semiconductor Engineering, Hanyang University, Seoul, 133-791, South Korea) ,  Lee Kunyoung (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul, 133-791, South Korea) ,  Shin Changhee (Department of Nanoscale Semiconductor Engineering, Hanyang University, Seoul, 133-791, South Korea) ,  Lee Jaemin (Department of Nanoscale Semiconductor Engineering, Hanyang University, Seoul, 133-791, South Korea) ,  Jeon Hyeongtag (Department of Nanoscale Semiconductor Engineering, Hanyang University, Seoul, 133-791, South Korea) ,  Jeon Hyeongtag (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul, 133-791, South Korea)
資料名： Current Applied Physics  (Current Applied Physics)
巻： 17  号： 2  ページ： 230-234  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸素空格子点から成る導電性フィラメントで動作するTaO_xベースデバイスに埋め込まれたTiナノ層の役割を調べた。Tiナノ層は三つの異なる位置:上部界面(Au/TaO_x),底部界面(TaO_x/TiN),及び両界面に埋め込んだ。埋込Tiナノ層は,上部界面の場合だけでなく酸素貯留層がトンネル障壁として機能する。Tiナノ層とその厚さの位置は抵抗スイッチング挙動に重要な役割を果たしている。添加では,抵抗スイッチング挙動に及ぼす電流コンプライアンスの影響を評価した。種々の抵抗スイッチング挙動は電流-電圧掃引測定とX線光電子分光法を用いて調べた。低抵抗状態の非線形挙動を,上部界面と電流コンプライアンスにより制御できた。高抵抗状態の電流は底部界面により制御できた。1.5nm厚Tiナノ層はトップ界面とボトム界面での高抵抗状態の電流で低抵抗状態の非線形挙動を調整できることは注目すべきである。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： コンプライアンス ,  電圧 ,  界面 ,  X線光電子分光法 ,  電流 ,  酸素 ,  *チタン ,  *ナノシート
準シソーラス用語： 非線形挙動 ,  トンネル障壁 ,  貯留層 ,  窒化チタン ,  導電性フィラメント ,  酸素空格子点 ,  *抵抗スイッチング ,  *ナノ薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 抵抗スイッチング ,  インタフェイス ,  TaOx ,  非線形 ,  電流コンプライアンス

分類 (2件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ti ,  ナノ層 ,  抵抗スイッチング ,  挙動