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J-GLOBAL ID：201702290967008736   整理番号：17A0442695

炭素量子ドット増感ZnO:可視光照射下での光電気化学的水分解のためのGa/ZnO接合複合光アノード【Powered by NICT】

A carbon-quantum-dot-sensitized ZnO:Ga/ZnO multijunction composite photoanode for photoelectrochemical water splitting under visible light irradiation

著者 (4件)： Xiao Jingran (Collaborative Innovation Center of Chemical Science and Engineering (Tianjin), Tianjin Key Laboratory of Applied Catalysis Science and Technology, State Key Laboratory of Chemical Engineering (Tianjin University), School of Chemical Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, China) ,  Hou Xuelan (Collaborative Innovation Center of Chemical Science and Engineering (Tianjin), Tianjin Key Laboratory of Applied Catalysis Science and Technology, State Key Laboratory of Chemical Engineering (Tianjin University), School of Chemical Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, China) ,  Zhao Le (Collaborative Innovation Center of Chemical Science and Engineering (Tianjin), Tianjin Key Laboratory of Applied Catalysis Science and Technology, State Key Laboratory of Chemical Engineering (Tianjin University), School of Chemical Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, China) ,  Li Yongdan (Collaborative Innovation Center of Chemical Science and Engineering (Tianjin), Tianjin Key Laboratory of Applied Catalysis Science and Technology, State Key Laboratory of Chemical Engineering (Tianjin University), School of Chemical Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, China)
資料名： Journal of Catalysis  (Journal of Catalysis)
巻： 346  ページ： 70-77  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0480A  ISSN： 0021-9517  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭素量子ドット(CQD)-増感ZnO:Ga/ZnO光電気化学水分解のための複合光アノードを設計し試験した。複合材料では,ZnOアレイは,酸化インジウムスズガラス片上に成長させたと光電陽極の本質的な完全性を容易にした。GaをドープしたZnO(ZnO:Ga)の被覆層は,ZnOナノロッド上に成長させた熱水である。I型ZnO:Ga/ZnO接合は,ZnOを形成する:可視光活性と狭いバンドギャップを有するGaシェル。しかし,ハイエンドでZnO:Gaの伝導帯(CB)の位置のために存在する高度に正の開始電位。被覆層の表面に及ぼすCQDの堆積は,ZnOの間のII型接合を持つ負にシフトしCBを提供する:GaとCQD。CQDs@ZnO:Ga/ZnO多重接合複合材料光アノードは,開始電位の負のシフトと有意に増加した光電流密度1.5~1.6VでmAcm~ 2対RHE,AM1.5G模擬光下で良好な光安定性を示した。多重接合複合光アノードは,1.0Vのバイアスで,AM1.5G模擬光下におけるZnOのそれに匹敵するで可視光下での0.16mAcm~ 2の電流密度を達成した。電気化学インピーダンススペクトルは,CQD修飾は,電荷移動抵抗を引き起こすことをI型ZnO:Ga/ZnO接合におけるエネルギー障壁を除去することに関連した界面電荷移動抵抗を減少させるように作用することを明らかにした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流密度 ,  バンドギャップ ,  光電流 ,  *量子ドット ,  *電気化学 ,  *ガリウム ,  *光電気化学 ,  界面 ,  ドーピング ,  *可視光 ,  *酸化亜鉛 ,  被覆層 ,  *炭素
準シソーラス用語： *光アノード ,  *水分解 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ZnOナノロッド ,  カーボン量子ドット ,  ナノ接合 ,  光電気化学水の分解

分類 (3件)： その他の触媒  (CB06123Z) ,  貴金属触媒  (CB06122I) ,  光化学反応  (CB08020F)

タイトルに関連する用語 (7件)： 炭素量子ドット ,  ZnO ,  可視光照射 ,  光電気化学 ,  水分解 ,  Ga ,  光アノード