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J-GLOBAL ID：201702291035736202   整理番号：17A0474889

ダイヤモンド上の六方晶窒化ほう素の直接核形成:hBNナノウォールの結晶特性【Powered by NICT】

Direct nucleation of hexagonal boron nitride on diamond: Crystalline properties of hBN nanowalls

著者 (17件)： Hoang Duc-Quang (Institute for Materials Research (IMO), Hasselt University, Diepenbeek, Belgium) ,  Hoang Duc-Quang (IMOMEC, IMEC vzw, Diepenbeek, Belgium) ,  Korneychuk Svetlana (Electron Microscopy for Materials Science (EMAT), University of Antwerp, Antwerp, Belgium) ,  Sankaran Kamatchi Jothiramalingam (Institute for Materials Research (IMO), Hasselt University, Diepenbeek, Belgium) ,  Sankaran Kamatchi Jothiramalingam (IMOMEC, IMEC vzw, Diepenbeek, Belgium) ,  Pobedinskas Paulius (Institute for Materials Research (IMO), Hasselt University, Diepenbeek, Belgium) ,  Pobedinskas Paulius (IMOMEC, IMEC vzw, Diepenbeek, Belgium) ,  Drijkoningen Sien (Institute for Materials Research (IMO), Hasselt University, Diepenbeek, Belgium) ,  Drijkoningen Sien (IMOMEC, IMEC vzw, Diepenbeek, Belgium) ,  Turner Stuart (Electron Microscopy for Materials Science (EMAT), University of Antwerp, Antwerp, Belgium) ,  Van Bael Marlies K. (Institute for Materials Research (IMO), Hasselt University, Diepenbeek, Belgium) ,  Van Bael Marlies K. (IMOMEC, IMEC vzw, Diepenbeek, Belgium) ,  Verbeeck Johan (Electron Microscopy for Materials Science (EMAT), University of Antwerp, Antwerp, Belgium) ,  Nicley Shannon S. (Institute for Materials Research (IMO), Hasselt University, Diepenbeek, Belgium) ,  Nicley Shannon S. (IMOMEC, IMEC vzw, Diepenbeek, Belgium) ,  Haenen Ken (Institute for Materials Research (IMO), Hasselt University, Diepenbeek, Belgium) ,  Haenen Ken (IMOMEC, IMEC vzw, Diepenbeek, Belgium)
資料名： Acta Materialia  (Acta Materialia)
巻： 127  ページ： 17-24  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0316A  ISSN： 1359-6454  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 六方晶窒化ホウ素(hBN)ナノウォールは(100)配向シリコン,ナノ結晶ダイヤモンド膜および非晶質窒化けい素(Si_3N_4)膜に及ぼす非平衡ラジオ周波数スパッタリングによって蒸着した。hBNナノウォール構造は全ての基質の表面に対して垂直に成長することが分かった。蒸着膜の核形成相と可能な格子歪へのさらなる洞察を提供するために,異なる界面の構造特性を透過型電子顕微鏡によって特性化した。SiとSi_3N_4基板では,乱層と非晶質BN相は基板の間に明確な遷移帯とバルクナノウォールの実際hBN相を形成した。しかし,驚いたことに,これらの相の存在は,ナノ結晶ダイヤモンド膜との界面で抑制され,ダイヤモンド表面とhBNの直接結合,ダイヤモンド結晶粒の垂直配向とは無関係に導いた。これらの観察を説明するために,成長機構は,ナノ結晶ダイヤモンド膜の水素終端表面は成長の初期段階におけるhBN相の急速な形成に導く提案し,SiとSi_3N_4基板の場合と反対であった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 蒸着膜 ,  透過型電子顕微鏡 ,  *核形成 ,  結晶粒 ,  格子歪 ,  キャラクタリゼーション ,  スパッタリング ,  界面 ,  窒化ケイ素 ,  *ダイヤモンド ,  ケイ素 ,  構造特性 ,  非平衡状態
準シソーラス用語： ナノ結晶ダイヤモンド膜 ,  *ナノウォール , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 六方晶系窒化ホウ素ナノウォール ,  ナノ結晶ダイヤモンド ,  Heterostructures ,  物理蒸着

分類 (9件)： 金属材料へのセラミック被覆  (YC02050V) ,  金属の結晶成長  (BK13030M) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  繊維冶金  (WC02050T) ,  変態組織,加工組織  (WB01030N) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固相転移  (BL04020G) ,  圧粉,焼結  (WC02030X)

タイトルに関連する用語 (5件)： ダイヤモンド ,  六方晶窒化ほう素 ,  核形成 ,  ナノウォール ,  結晶