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J-GLOBAL ID：201702291364616826   整理番号：17A0755417

くし状光誘起シナプストランジスタの飽和挙動【Powered by NICT】

Saturation Behavior for a Comb-Like Light-Induced Synaptic Transistor

著者 (8件)： Zhu Guixia (Gruenberg Research Centre, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, China) ,  Gao Xumin (Gruenberg Research Centre, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, China) ,  Li Yuanhang (Gruenberg Research Centre, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, China) ,  Yuan Jialei (Gruenberg Research Centre, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, China) ,  Yuan Wei (Gruenberg Research Centre, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, China) ,  Yang Yongchao (Gruenberg Research Centre, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, China) ,  Zhang Zhiyu (Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Science, Changchun, China) ,  Wang Yongjin (Gruenberg Research Centre, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 1  ページ： 71-74  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 共通ベース二InGaN/GaN多重量子井戸ダイオード(MQWDs)から成るくし状光誘起シナプストランジスタを作製し,提案した。InGaN/GaN MQWDは光のエミッタとして使用され,他のInGaN/GaN MQWDを捕収剤として使用した。シナプス前電圧は光を生成するためにエミッタに適用した場合,集熱器は,放出された光を吸収し,興奮性シナプス後電圧(EPSV)を実証した。多重パルス信号をエミッタに適用した連続したとき飽和EPSV挙動は集熱器で発生した。飽和EPSV値は増加し,印加したパルス信号の振幅が増加するにつれて飽和パルス数は減少した。実験結果は,高パルス強度と連続刺激では,学習プロセス中に記憶効果を大きく改善することを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： パルス ,  ダイオード ,  電圧 ,  窒化ガリウム ,  多重化 ,  多重量子井戸 ,  記憶効果 ,  *シナプス
準シソーラス用語： パルス数 ,  興奮性シナプス ,  InGaN ,  *光誘起 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 光誘起 ,  シナプス ,  トランジスタ ,  飽和 ,  挙動