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J-GLOBAL ID：201702291787374332   整理番号：17A0026000

71~76と81~86GHzで動作するパワーアンプのための0.1μm InAlN/GaN高電子移動度トランジスタ:パシベーションとゲートリセスの影響

0.1- $¥mu ¥text{m}$ InAlN/GaN High Electron-Mobility Transistors for Power Amplifiers Operating at 71-76 and 81-86 GHz: Impact of Passivation and Gate Recess

著者 (16件)： Xu Dong (Microelectronics Center, BAE Systems, Nashua, NH, USA) ,  Chu Kanin (Microelectronics Center, BAE Systems, Nashua, NH, USA) ,  Diaz Jose A. (Microelectronics Center, BAE Systems, Nashua, NH, USA) ,  Ashman Michael D. (Microelectronics Center, BAE Systems, Nashua, NH, USA) ,  Komiak J. J. (Microelectronics Center, BAE Systems, Nashua, NH, USA) ,  Mt. Pleasant Louis M. (Microelectronics Center, BAE Systems, Nashua, NH, USA) ,  Vera Alice (Microelectronics Center, BAE Systems, Nashua, NH, USA) ,  Seekell Philip (Microelectronics Center, BAE Systems, Nashua, NH, USA) ,  Yang Xiaoping (Microelectronics Center, BAE Systems, Nashua, NH, USA) ,  Creamer Carlton (Microelectronics Center, BAE Systems, Nashua, NH, USA) ,  Nichols K. B. (Microelectronics Center, BAE Systems, Nashua, NH, USA) ,  Duh K. H. George (Microelectronics Center, BAE Systems, Nashua, NH, USA) ,  Smith Phillip M. (Microelectronics Center, BAE Systems, Nashua, NH, USA) ,  Chao P. C. (Microelectronics Center, BAE Systems, Nashua, NH, USA) ,  Dong Lin (School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA) ,  Ye Peide D. (School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 63  号： 8  ページ： 3076-3083  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ミリ波(MMW)パワーアンプ,特に71~76と81~86GHzバンドのためにゲート長0.1μmのInAlN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)を開発した。電気的性能に与えるゲートリセス溝の深さと幅の影響を解析し比較した。競合パシベーション技術,原子層デポジション(ALD)酸化アルミニウム(AL₂O₃),プラズマ化学蒸着(PECVD)SiNをdc,パルスI-V,高周波特性の観点から評価した。PECVD SINパシベートHEMTとモノリシックマイクロ波集積回路はALD AL₂O₃パシベートのものよりも若干性能が落ちるが,そのMMW性能は改善されたアスペクト比とスケーリング特性によってゲートリセスでさらに高められる。10Vにドレイン電圧をバイアスすると,リセスPECVD SiNパシベート0.1μm空乏モードデバイスに基づいたファーストパス2ステージパワーアンプ設計は86GHzにおいて15%電力付加効率で1.63Wの出力を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： 酸化アルミニウム ,  エッチング ,  *HEMT ,  不動態化 ,  ケイ素化合物 ,  化合物半導体 ,  *MMIC ,  *電力増幅器 ,  化学蒸着 ,  プラズマCVD ,  素子構造 ,  窒化アルミニウム ,  窒化ガリウム
準シソーラス用語： ALD【蒸着】 ,  GaN ,  III-V半導体 ,  InAlN ,  PECVD ,  シリコン化合物 ,  パッシベーション ,  パワーアンプ ,  リセス構造 ,  ワイドバンドギャップ半導体

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (6件)： パワーアンプ ,  InAlN ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  パシベーション ,  ゲート