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J-GLOBAL ID：201702292135708310   整理番号：17A0240781

MOSトランジスタに及ぼす強磁場の影響【Powered by NICT】

On the influence of strong magnetic field on MOS transistors

著者 (8件)： Hebrard L. (ICube - Universite ́ de Strasbourg / CNRS, 23, rue du Loess - Strasbourg, France) ,  Nguyen D. V. (ICube - Universite ́ de Strasbourg / CNRS, 23, rue du Loess - Strasbourg, France) ,  Vogel D. (ICube - Universite ́ de Strasbourg / CNRS, 23, rue du Loess - Strasbourg, France) ,  Schell J.-B. (ICube - Universite ́ de Strasbourg / CNRS, 23, rue du Loess - Strasbourg, France) ,  Po C. (ICube - Universite ́ de Strasbourg / CNRS, 23, rue du Loess - Strasbourg, France) ,  Dumas N. (ICube - Universite ́ de Strasbourg / CNRS, 23, rue du Loess - Strasbourg, France) ,  Uhring W. (ICube - Universite ́ de Strasbourg / CNRS, 23, rue du Loess - Strasbourg, France) ,  Pascal J. (University of Applied Sciences and Arts Northwestern, Switzerland FHNW, Muttenz, Switzerland)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ICECS  ページ： 564-567  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： NMOSトランジスタの電気的特性に及ぼす強磁場の影響に関する研究を提示した。実験は小動物7T MRIスキャナで実施され,存在するが管理可能である影響7Tまでのことを示した。トランジスタサイズに依存し,場内のチップの配向,ゲート-ソース電圧に及ぼすことを実証した。実験と良く一致し理論解析を開発した。10T以上の超高磁場への外挿は,このような場での影響は挑戦的であり,それは高オーバードライブ電圧を用いたV_gs V_thにより低下できることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 走査装置 ,  *MOSFET ,  外挿法 ,  *強磁場 ,  電気的性質 ,  電圧
準シソーラス用語： 理論解析 ,  小動物 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： MOSトランジスタ ,  強磁場