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J-GLOBAL ID：201702295437307170   整理番号：17A0085646

gated Hall測定によるInGaAs反転層gated Hall移動度および界面トラップ密度

InGaAs Inversion Layer Mobility and Interface Trap Density From Gated Hall Measurements

著者 (6件)： Chidambaram T. (SUNY Polytechnic Institute, Albany, NY, USA) ,  Veksler D. (NIST, Gaithersburg, MD, USA) ,  Madisetti S. (SUNY Polytechnic Institute, Albany, NY, USA) ,  Yakimov M. (SUNY Polytechnic Institute, Albany, NY, USA) ,  Tokranov V. (SUNY Polytechnic Institute, Albany, NY, USA) ,  Oktyabrsky S. (SUNY Polytechnic Institute, Albany, NY, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 37  号： 12  ページ： 1547-1550  発行年： 2016年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,InGaAs MOSFETの反転チャネルにおける自由キャリア密度と電子移動度を直接測定するために,gated Hall法を利用した。室温において,チャネルの電子密度が約1×10¹²cm^-2のとき,1800cm²/Vsという最高ホール移動度を観察した。トランジスタ特性から推定した移動度の値と比較することによって,移動度の大幅な過小評価を明らかにした。その過小評価は,C-V測定から得たチャネル密度を過大に評価することから生じていた。電子密度が3×10¹¹cm^-2未満では遠隔クーロン散乱が支配的であるという証拠を,電子移動度の温度依存性が示した。界面トラップ密度を抽出するために一般的に用いられるキャパシタンスベースの方法とは対照的に,gated Hall法では,MOSキャパシタの全電荷に対して,チャネルにおける高速トラップ電荷の寄与と自由キャリアの寄与を分離することができた。これが,境界トラップを含むIII-V族半導体/high-k界面におけるトラップ密度について,信頼できる推定を可能にした。この結果は,高い移動度の輸送を提供する高品質の界面でさえも,伝導帯より上の高速な境界トラップから悪影響を受けることを示していた。境界トラップの影響を無視できるSiとは対照的に,低い状態密度のInGaAsチャネル材料では,チャネル電子の半分もの電子がトラップされ,輸送から除外されて,スイッチングエネルギーおよび消費電力が増加した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,  *反転層 ,  Hall移動度 ,  キャリア捕獲 ,  密度 ,  キャリア
準シソーラス用語： *InGaAs ,  界面トラップ ,  トラップ密度 ,  自由キャリア

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： InGaAs ,  反転層 ,  Hall移動度 ,  界面 ,  トラップ密度