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J-GLOBAL ID：201702295835113358   整理番号：17A0403085

水素とふっ素codecoratedシリセン層の興味ある電子的および光学的性質調節【Powered by NICT】

The intriguing electronic and optical properties modulation of hydrogen and fluorine codecorated silicene layers

著者 (11件)： Yang Qun (Faculty of Mechanical and Electrical Engineering, Guilin University of Electronic Technology, 541004 Guilin, China) ,  Yang Qun (Key Laboratory of Optoelectronic Technology & Systems, Education Ministry of China, Chongqing University and College of Opto-Electronic Engineering, Chongqing University, 400044 Chongqing, China) ,  Tan Chunjian (Faculty of Mechanical and Electrical Engineering, Guilin University of Electronic Technology, 541004 Guilin, China) ,  Tan Chunjian (Key Laboratory of Optoelectronic Technology & Systems, Education Ministry of China, Chongqing University and College of Opto-Electronic Engineering, Chongqing University, 400044 Chongqing, China) ,  Meng Ruishen (Key Laboratory of Optoelectronic Technology & Systems, Education Ministry of China, Chongqing University and College of Opto-Electronic Engineering, Chongqing University, 400044 Chongqing, China) ,  Jiang Junke (Key Laboratory of Optoelectronic Technology & Systems, Education Ministry of China, Chongqing University and College of Opto-Electronic Engineering, Chongqing University, 400044 Chongqing, China) ,  Liang Qiuhua (Key Laboratory of Optoelectronic Technology & Systems, Education Ministry of China, Chongqing University and College of Opto-Electronic Engineering, Chongqing University, 400044 Chongqing, China) ,  Sun Xiang (Key Laboratory of Optoelectronic Technology & Systems, Education Ministry of China, Chongqing University and College of Opto-Electronic Engineering, Chongqing University, 400044 Chongqing, China) ,  Yang Daoguo (Faculty of Mechanical and Electrical Engineering, Guilin University of Electronic Technology, 541004 Guilin, China) ,  Chen Xianping (Faculty of Mechanical and Electrical Engineering, Guilin University of Electronic Technology, 541004 Guilin, China) ,  Chen Xianping (Key Laboratory of Optoelectronic Technology & Systems, Education Ministry of China, Chongqing University and College of Opto-Electronic Engineering, Chongqing University, 400044 Chongqing, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 398  ページ： 73-80  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論に基づいた第一原理計算は,水素とフッ素Co修飾シリセン(HSiF)単分子層および二分子層のいくつかの優れた物理的性質を明らかにした。著者らのシミュレーション結果は,HSiF単分子層はギャップレス半金属シリセンと大きく異なる大きな直接バンドギャップ半導体であることを明らかにした。HSiF二分子層中の強い層間結合が存在し,二層グラフェンを超えてもHSiF二分子層の良好な安定性をもたらした。提案したHSiF二重層であるHSiF単分子層のそれよりもはるかに低い0.296eVの中程度の直接バンドギャップを示した。励みになることとして,HSiF層はすべてMoS_2層上の利点である,積層パターン,厚さおよび外部電場に関係なく,直接バンドギャップの性質を持っている。さらに,面外電場はHSiF単分子層および二分子層のバンド構造に明白な影響を持っている。特にHSiF二分子層のバンドギャップを外部電場によって効果的に調整でき,半導体-金属転移が起こる。より重要なことに,HSiF二分子層はHSiF単分子層に比べて著しく改良された可視光吸収ピークを示し,優れた光学的性質がロバストで,積層パターンとは無関係であった。完全な電子-正孔分離もHSiF二分子層の光触媒効率を向上させた。単語,中程度のバンドギャップ,外部電場による効果的なバンドギャップ修正,ロバスト直接バンドギャップの性質,適切なバンド端位置,電子-正孔分離,魅力的な可視光吸収,HSiF二重層は太陽エネルギー変換,高性能光触媒反応とナノ電子デバイスの分野で大きな潜在的応用を可能にするでは,この種の優れた特性を有する2D Janus材料のより多くの問題を必要としている。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ロバスト性 ,  バンドギャップ ,  正孔 ,  半金属 ,  単分子層 ,  光触媒 ,  密度汎関数法 ,  可視光 ,  二分子層 ,  *水素
準シソーラス用語： 外部電場 ,  二重層 ,  直接バンドギャップ ,  第一原理計算 ,  *シリセン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 密度範関数理論 ,  展望 ,  太陽エネルギー変換 ,  ナノ電子素子

分類 (2件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 水素 ,  ふっ素 ,  シリセン ,  興味 ,  電子 ,  光学的性質 ,  調節