研究者
J-GLOBAL ID:201001063938165263   更新日: 2024年03月23日

谷田部 然治

ヤタベ ゼンジ | Yatabe Zenji
所属機関・部署:
職名: 准教授
ホームページURL (1件): https://researchmap.jp/zenji.yatabe/link
研究分野 (4件): 薄膜、表面界面物性 ,  電子デバイス、電子機器 ,  半導体、光物性、原子物理 ,  生物物理、化学物理、ソフトマターの物理
研究キーワード (3件): 化合物半導体 ,  表面・界面 ,  ゆらぎ
競争的資金等の研究課題 (11件):
  • 2023 - 2026 ミストCVD法を用いた窒化物半導体向けゲート絶縁膜堆積プロセス開発とMOSデバイス応用
  • 2023 - 2026 Study on high-κ dielectric/regrown nitride semiconductor interfaces for high efficiency and highly-safe transistors
  • 2019 - 2022 高分子溶液の流動挙動を相転移の観点から明らかにする積分変換法の提案
  • 2019 - 2022 ミストCVD法による窒化物半導体の表面パッシベーション・絶縁ゲート構造の開発
  • 2015 - 2018 絶縁膜/窒化物半導体界面の評価・制御とトランジスタ応用への基礎的研究
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論文 (43件):
  • Ali Baratov, Shinsaku Kawabata, Shun Urano, Itsuki Nagase, Masaki Ishiguro, Shogo Maeda, Takahiro Igarashi, Toi Nezu, Zenji Yatabe, Maciej Matys, et al. Evidence of reduced interface states in Al2O3/AlGaN MIS structures via insertion of ex-situ regrown AlGaN layer. Applied Physics Express. 2022. 15. 10. 104002-1-5
  • Zenji Yatabe, Joel T. Asubar. Ornstein-Uhlenbeck process in a human body weight fluctuation. Physica A: Statistical Mechanics and its Applications. 2021. 582. 126286-1-6
  • Joel T. Asubar, Zenji Yatabe, Dagmar Gregusova, Tamotsu Hashizume. Controlling surface/interface states in GaN-based transistors: Surface model, insulated gate, and surface passivation. Journal of Applied Physics. 2021. 129. 12. 121102-1-28
  • Rui Shan Low, Joel T. Asubar, Ali Baratov, Shunsuke Kamiya, Itsuki Nagase, Shun Urano, Shinsaku Kawabata, Hirokuni Tokuda, Masaaki Kuzuhara, Yusui Nakamura, et al. GaN-based MIS-HEMTs with Al2O3 dielectric deposited by low-cost and environmental-friendly mist-CVD technique. Applied Physics Express. 2021. 14. 3. 031004-1-5
  • Ruri Hidema, Zenji Yatabe, Hikari Takahashi, Ryusei Higashikawa, Hiroshi Suzuki. Inverse integral transformation method to derive local viscosity distribution measured by optical tweezers. Soft Matter. 2020. 16. 29. 6826-6833
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MISC (31件):
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特許 (1件):
講演・口頭発表等 (214件):
  • 1/<i>f</i>雑音の電子トラップ時定数分布
    (第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
  • GaN自立基板上に作製したmist-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/n-GaN構造の評価
    (第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
  • 次世代パワー・高周波デバイスの実現に向けたワイドギャップ半導体界面の評価と制御
    (2024年年会 2024)
  • 界面準位がワイドバンドギャップ半導体MOSキャパシタの容量-電圧特性に与える影響
    (第14回半導体材料・デバイスフォーラム 2023)
  • ゲート絶縁膜堆積プロセスとデバイス評価技術の開拓
    (電子情報通信学会北海道支部講演会 2023)
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学歴 (4件):
  • 2005 - 2008 東京農工大学 大学院連合農学研究科 生物工学専攻
  • 2005 - 2006 École normale supérieure de Cachan (ENS Cachan) Laboratoire de Photophysique et Photochime Supramoléculaires et Macromoléculaire (PPSM)
  • 2003 - 2005 東京農工大学 大学院農学教育部 環境資源物質科学専攻
  • 1999 - 2003 東京農工大学 農学部 環境資源科学科
学位 (3件):
  • 博士(農学) (東京農工大学)
  • 修士(農学) (東京農工大学)
  • 学士(農学) (東京農工大学)
経歴 (6件):
  • 2023 - 現在 熊本大学 半導体・デジタル研究教育機構 半導体部門 基礎分野 准教授
  • 2020 - 2023 熊本大学 大学院先端科学研究部 情報・エネルギー部門 電気電子材料分野 准教授
  • 2015 - 2020 熊本大学 大学院先導機構 助教
  • 2015 - 2015 北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター 特任助教
  • 2011 - 2015 北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター 研究員
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委員歴 (8件):
  • 2023 - 現在 電気学会 電子・情報・システム部門(C部門) 電子デバイス技術委員会 化合物半導体を用いた次世代高機能デバイス技術とアプリケーション調査専門委員会 委員
  • 2020 - 現在 文部科学省 科学技術・学術政策研究所 科学技術予測・政策基盤調査研究センター 専門調査員
  • 2023 - 2023 応用物理学会 第84回応用物理学会秋季学術講演会 現地実行委員
  • 2022 - 2022 第13回 半導体材料・デバイスフォーラム 実行委員
  • 2021 - 2021 日本表面真空学会 2021年学術講演会 実行委員
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受賞 (1件):
  • 2016/09 - 応用物理学会 第38回応用物理学会論文賞 (応用物理学会優秀論文賞) Characterization of electronic states at insulator/(Al)GaN interfaces for improved insulated gate and surface passivation structures of GaN-based transistors
所属学会 (1件):
応用物理学会
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