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J-GLOBAL ID：201002228610649797   整理番号：10A0899504

光子状態密度エンジニアリングによるシリコン発光の高効率化に関する研究

Improvement of light emission efficiency of silicon by engineering photon density of state

著者 (1件)： 岩本敏 (東大 生産技研)
資料名： 日本板硝子材料工学助成会成果報告書(CD-ROM)  (Nippon Sheet Glass Foundation for Materials Science and Engineering Report (CD-ROM))
巻： 28  ページ： 28-34  発行年： 2010年 
JST資料番号： X0948B  ISSN： 1883-3128  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 物質の発光レートは遷移の双極子モーメントなど材料固有の量に依存するだけでなく,発光体の置かれた輻射場環境にも強く依存する。従ってフォトニックナノ構造を用いて輻射場環境を制御することで,発光レートの増大が実現できると期待できる。我々は,フォトニック結晶ナノ共振器を用いることにより,室温においてシリコンの発光強度を300倍以上増強することに成功し,光取り出し効率などの解析から発光レートは5倍程度向上していることが期待できることを示した。またナノ共振器からの増強されたシリコン発光を,フォトニック結晶導波路を通して面内光回路中を伝搬させることにも成功した。(著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *発光 ,  *効率化 ,  *光子 ,  *状態密度 ,  ナノ構造 ,  微小共振器 ,  放射強度 ,  エネルギー変換効率 ,  放射 ,  導波路 ,  光回路 ,  光伝搬 ,  量子効率 ,  *フォトニック結晶
準シソーラス用語： シリコン ,  ナノ共振器 ,  発光強度 ,  発光効率 ,  輻射

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (12件)：

• “Silicon Photonics,” edited by L. Pavesi and D. J. Lockwood ( Springer, Berlin, 2004).
• 例えば、シリコンフォトニクス, 金光義彦・深津晋 共編, 第2, 3章 (オーム社, 2007).
• O. Boyraz and B. Jalali, Opt. Express 12, 5269( 2004).
• J. Lin, X. Sun, L. C. Kimerling, and J. Michel. Opt. Lett.34, 1738(2009).
• A. W. Fang, H. Park, O. Cohen, R. Jones, M. J. Paniccia, and J. E. Bowers, Opt. Express 14, 9203(2006).

タイトルに関連する用語 (6件)： 光子 ,  状態密度 ,  エンジニアリング ,  シリコン ,  高効率化 ,  研究