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文献
J-GLOBAL ID:201002230905652697   整理番号:10A1015701

CuCl,GaCl3及びH2Oを原料とする大気圧CVD法によるCu-Ga-O薄膜の成長

著者 (6件):
資料名:
巻: 2010  ページ: 27  発行年: 2010年07月31日 
JST資料番号: L5917A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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分類 (1件):
分類
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酸化物薄膜 

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