文献

J-GLOBAL ID：201002254315312110   整理番号：10A0063338

Fe/GaAs接合におけるスピン依存伝導の電圧依存性

Voltage-dependence of spin dependent transport in Fe/GaAs contacts

著者 (3件)： 本多周太 (名古屋大) ,  井上順一郎 (名古屋大) ,  伊藤博介 (関西大)
資料名： 電気学会マグネティックス研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： MAG-09  号： 168-189  ページ： 11-15  発行年： 2009年12月01日 
JST資料番号： Z0924A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： スピントロニクスのために強磁性体から半導体にスピンを注入する手段として,強磁性体と半導体の間の電気伝導度の不整合を回避するためにSchottky障壁のような絶縁層を挿入する方法が用いられる。そこでSchottky障壁を持つFe/GaAsコンタクトにおけるスピン注入について理論的な研究を行った。流れる電流のスピン分極率(スピン注入効率)Pをタイトバインディングモデルと線形応答理論によって計算した。面間の共鳴状態,コンダクタンス,およびスピン分極がSchottky障壁の高さと厚さにどのように依存するかを明らかにした。またある励起エネルギー領域,電圧領域においては,Pが負の値となることが明らかになった。さらに,正電圧ではPの絶対値が減少することがわかった。Pが負の値を示すことなどの実験で見出されている結果は,面間の共鳴状態を通じたトンネル効果によって説明できることがわかった。

シソーラス用語： 電子スピン ,  Schottky障壁 ,  磁性薄膜 ,  *半導体金属接合 ,  束縛条件 ,  線形応答理論 ,  計算モデル ,  *スピン分極 ,  トンネル効果 ,  共鳴 ,  *注入 ,  強束縛近似 ,  ヒ化ガリウム
準シソーラス用語： *スピン注入

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

引用文献 (27件)：

• H. Ohno: “Making Nonmagnetic Semiconductors Ferromagnetic”, Science, Vol.281, No.5379 p. 951(1998).
• G. Schmidt, D. Ferrand, L. W. Molenkamp, A. T. Filip, and B. J. van Wees: “Fundamental obstacle for electrical spin injection from a ferromagnetic metal into a diffusive semiconductor”, Phys. Rev. B, Vol.62, No.8 p. R4790(2000).
• E. I. Rashba: “Theory of electrical spin injection: Tunnel contacts as a solution of the conductivity mismatch problem”, Phys. Rev. B, Vol.62, No.24 p. R16267(2000).
• A. Fert and H. Jaffres: “Conditions for efficient spin injection from a ferromagnetic metal into a semiconductor”, Phys. Rev. B, Vol.64, No.18 p. 184420(2001).
• O. M. J. van’t Erve, G. Kioseoglou, A. T. Hanbicki, C. H. Li, B. T. Jonker, R. Mallory, M. Yasar, and A. Petrou: “Comparison of Fe/Schottky and Fe/Al₂O₃ tunnel barrier contacts for electrical spin injection into GaAs”, App. Phy. Lett., Vol.84, No.21 p. 4334(2004).

タイトルに関連する用語 (4件)： Fe ,  GaAs ,  スピン依存伝導 ,  電圧依存性