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J-GLOBAL ID:201002281966768390   整理番号:10A0465690

シリコン原子空孔評価:P(VDF/TrFE)圧電薄膜を用いたシリコン単結晶の超音波測定 II

著者 (11件):
資料名:
巻: 57th  ページ: ROMBUNNO.20A-TW-3  発行年: 2010年03月03日 
JST資料番号: Y0054B  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体の格子欠陥  ,  非破壊試験  ,  圧電デバイス 

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