文献

J-GLOBAL ID：201002281966768390   整理番号：10A0465690

シリコン原子空孔評価:P(VDF/TrFE)圧電薄膜を用いたシリコン単結晶の超音波測定 II

著者 (11件)： 三本啓輔 (新潟大 大学院) ,  岡部和樹 (新潟大 大学院) ,  柳瀬隆志 (エムテーシー) ,  赤津光洋 (新潟大 大学院) ,  馬場正太郎 (新潟大 大学院) ,  永井勇太 (新潟大 大学院) ,  小松悟 (新潟大 大学院) ,  小野恭史 (富山大 機器分析セ) ,  根本祐一 (新潟大 大学院) ,  金田寛 (新潟大 物質量子セ) ,  後藤輝孝 (新潟大 大学院)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 57th  ページ： ROMBUNNO.20A-TW-3  発行年： 2010年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *空孔欠陥 ,  *圧電体 ,  誘電体薄膜 ,  *酸化亜鉛 ,  共重合体 ,  弾性係数 ,  超音波応用計測 ,  *フッ化ビニリデン-トリフルオロエチレン共重合体 ,  *原子空孔
準シソーラス用語： *VDF-TrFE ,  *圧電薄膜 ,  弾性定数

分類 (3件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  非破壊試験  (HB02030F) ,  圧電デバイス  (NC03110I)

タイトルに関連する用語 (7件)： シリコン ,  原子空孔 ,  評価 ,  VDF ,  圧電薄膜 ,  シリコン単結晶 ,  超音波測定