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J-GLOBAL ID：201002285045799198   整理番号：10A0371584

深さ方向での固体電解質基板上正極薄膜の電子・局所構造解析

著者 (12件)： 中堤貴之 (京大 大学院) ,  奥村豊旗 (京大 大学院) ,  菊谷大祐 (京大 大学院) ,  福塚友和 (京大 大学院) ,  内本喜晴 (京大 大学院) ,  寺田靖子 (JASRI) ,  谷田肇 (JASRI) ,  宇留賀朋也 (JASRI) ,  高垣昌史 (JASRI) ,  豊川秀訓 (JASRI) ,  入山恭寿 (静岡大 工) ,  雨澤浩史 (東北大 大学院)
資料名： 電気化学会大会講演要旨集
巻： 77th  ページ： 60  発行年： 2010年03月26日 
JST資料番号： Y0048A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *リチウム二次電池 ,  *リチウム化合物 ,  *電極材料 ,  固体電解質 ,  電池容量 ,  充放電サイクル ,  深さプロフィル ,  薄膜 ,  電子構造 ,  電子状態 ,  レーザ蒸着 ,  積層構造 ,  XANES ,  EXAFS ,  核間距離 ,  イオン移動度 ,  *コバルト酸塩 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： *コバルト酸リチウム ,  局所構造 ,  *正極材料

分類 (2件)： 二次電池  (YB04030K) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (6件)： 深さ方向 ,  固体電解質 ,  極薄膜 ,  電子 ,  局所構造 ,  解析