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J-GLOBAL ID：201002289120962283   整理番号：10A1104258

第一原理計算によるシリコン単原子空孔の局在電子状態

著者 (6件)： 小川貴史 (新潟大 大学院) ,  鶴田健二 (岡山大 大学院) ,  家富洋 (新潟大 大学院) ,  根本祐一 (新潟大 大学院) ,  金田寛 (新潟大 物質量子セ) ,  後藤輝孝 (新潟大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 71st  ページ： ROMBUNNO.16A-ZT-2  発行年： 2010年08月30日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *欠陥準位 ,  四重極モーメント ,  弾性係数 ,  軟化 ,  温度依存性 ,  粒度依存性 ,  *空格子点 ,  スピン-軌道相互作用 ,  *第一原理計算

分類 (2件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  固体の音波物性一般  (BL02031U)

タイトルに関連する用語 (5件)： 第一原理計算 ,  シリコン ,  単原子 ,  空孔 ,  電子状態