特許
J-GLOBAL ID:201003014538015897

磁気抵抗素子、磁気ランダムアクセスメモリ、及びそれらの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 工藤 実
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-049757
公開番号(公開出願番号):特開2010-205928
出願日: 2009年03月03日
公開日(公表日): 2010年09月16日
要約:
【課題】信頼性の高い磁気抵抗素子を提供する。【解決手段】 磁気抵抗素子は、下層磁性層と、下層磁性層上に設けられたバリア層と、バリア層上に設けられた上層磁性層とを具備する。ここで、バリア層における下層磁性層の上面と接する第1面、及び、上層磁性層におけるバリア層の上面と接する第2面は、いずれも下層磁性層の上面の面積よりも広い。【選択図】図5A
請求項(抜粋):
下層磁性層と、 前記下層磁性層上に設けられたバリア層と、 前記バリア層上に設けられた上層磁性層と を具備し、 前記バリア層における前記下層磁性層の上面と接する第1面、及び、前記上層磁性層における前記バリア層の上面と接する第2面は、いずれも前記下層磁性層の上面の面積よりも広い 磁気抵抗素子。
IPC (5件):
H01L 43/08 ,  H01L 43/12 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82
FI (4件):
H01L43/08 Z ,  H01L43/12 ,  H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z
Fターム (38件):
4M119AA17 ,  4M119AA19 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119CC10 ,  4M119DD24 ,  4M119DD25 ,  4M119DD26 ,  4M119DD33 ,  4M119DD47 ,  4M119EE23 ,  4M119EE27 ,  4M119HH01 ,  4M119HH04 ,  4M119KK12 ,  5F092AA11 ,  5F092AA15 ,  5F092AB08 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092AD26 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB31 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BC42 ,  5F092BC43 ,  5F092CA20
引用特許:
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る