特許
J-GLOBAL ID:201003014538015897
磁気抵抗素子、磁気ランダムアクセスメモリ、及びそれらの製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
工藤 実
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-049757
公開番号(公開出願番号):特開2010-205928
出願日: 2009年03月03日
公開日(公表日): 2010年09月16日
要約:
【課題】信頼性の高い磁気抵抗素子を提供する。【解決手段】 磁気抵抗素子は、下層磁性層と、下層磁性層上に設けられたバリア層と、バリア層上に設けられた上層磁性層とを具備する。ここで、バリア層における下層磁性層の上面と接する第1面、及び、上層磁性層におけるバリア層の上面と接する第2面は、いずれも下層磁性層の上面の面積よりも広い。【選択図】図5A
請求項(抜粋):
下層磁性層と、
前記下層磁性層上に設けられたバリア層と、
前記バリア層上に設けられた上層磁性層と
を具備し、
前記バリア層における前記下層磁性層の上面と接する第1面、及び、前記上層磁性層における前記バリア層の上面と接する第2面は、いずれも前記下層磁性層の上面の面積よりも広い
磁気抵抗素子。
IPC (5件):
H01L 43/08
, H01L 43/12
, H01L 21/824
, H01L 27/105
, H01L 29/82
FI (4件):
H01L43/08 Z
, H01L43/12
, H01L27/10 447
, H01L29/82 Z
Fターム (38件):
4M119AA17
, 4M119AA19
, 4M119BB01
, 4M119CC05
, 4M119CC10
, 4M119DD24
, 4M119DD25
, 4M119DD26
, 4M119DD33
, 4M119DD47
, 4M119EE23
, 4M119EE27
, 4M119HH01
, 4M119HH04
, 4M119KK12
, 5F092AA11
, 5F092AA15
, 5F092AB08
, 5F092AC08
, 5F092AC12
, 5F092AD23
, 5F092AD25
, 5F092AD26
, 5F092BB22
, 5F092BB23
, 5F092BB31
, 5F092BB34
, 5F092BB35
, 5F092BB36
, 5F092BB42
, 5F092BB43
, 5F092BC03
, 5F092BC04
, 5F092BC12
, 5F092BC13
, 5F092BC42
, 5F092BC43
, 5F092CA20
引用特許:
出願人引用 (5件)
-
メモリ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-380720
出願人:TDK株式会社
-
磁気抵抗効果素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願2007-079965
出願人:株式会社東芝
-
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2007-046666
出願人:富士通株式会社
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審査官引用 (5件)
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メモリ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-380720
出願人:TDK株式会社
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磁気抵抗効果素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願2007-079965
出願人:株式会社東芝
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磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2007-046666
出願人:富士通株式会社
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