特許
J-GLOBAL ID：201003022518252674

強誘電体、圧電体及びこれらの製造方法

発明者：
川江 健

川江 健 について

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森本 章治

森本 章治 について

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寺内 裕紀

寺内 裕紀 について

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津田 尚

津田 尚 について


出願人/特許権者：
国立大学法人金沢大学

国立大学法人金沢大学 について


代理人 (1件)： 新居 広守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-061896
公開番号（公開出願番号）：特開2010-219157
出願日： 2009年03月13日
公開日（公表日）： 2010年09月30日
要約：
【課題】強誘電特性及び圧電特性の劣化が抑制され、リーク特性が改善された強誘電体及び圧電体を提供する。【解決手段】BiFeO3を主成分とする強誘電体及び圧電体13は、BiFeO3の複数のFeサイトが、Tiと、Mn、Ni及びCuのいずれかとに元素置換されている。BiとFeとTiとMn、Ni及びCuのいずれかとからなるターゲットにパルスレーザを照射することで、基板11上に、BiとFeとTiとMn、Ni及びCuのいずれかとを堆積させることにより、BiFeO3を主成分とする強誘電体又は圧電体13の製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
BiFeO3を主成分とする強誘電体であって、 前記BiFeO3の複数のFeサイトが、Tiと、Mn、Ni及びCuのいずれかとに元素置換された 強誘電体。
IPC (8件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/24 ,  C23C 14/08
FI (6件)：
H01L21/316 Y ,  H01L27/10 444C ,  H01L27/04 C ,  H01L41/18 101B ,  H01L41/22 A ,  C23C14/08 K
Fターム (27件)：
4K029AA04 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BD01 ,  4K029CA02 ,  4K029DB05 ,  4K029DB20 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038EZ11 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA01 ,  5F058BA11 ,  5F058BB06 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF12 ,  5F058BF77 ,  5F058BJ01 ,  5F083FR00 ,  5F083FR10 ,  5F083GA07 ,  5F083GA30 ,  5F083JA13 ,  5F083JA17
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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