特許

J-GLOBAL ID：201003022860652862

カーボンナノチューブ膜を用いる半導体装置及びその製造方法

発明者： 日浦 英文
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (3件)： 宮崎 昭夫 ,  石橋 政幸 ,  緒方 雅昭
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2008060415
公開番号（公開出願番号）：WO2009-031349
出願日： 2008年06月06日
公開日（公表日）： 2009年03月12日
要約：

本発明は、単層CNT膜を構成する個々の単層CNT間を金属で架橋することにより、透明性が確保され、従来技術よりシート抵抗が低い単層CNT膜からなる電極や配線を有する半導体装置、ならびに、透明性を保持しつつ、単位幅当たりのオン電流とオン/オフ比が同時に増大され得るCNT膜チャネルを持つ半導体装置、及びその製造方法を提供する。 発明の半導体装置は、多数の単層CNTが互いに接続した膜からなる電極、配線、またはチャネルを有する。単層CNT膜からなる電極、配線、チャネルは、隣接する単層CNT同士が金属で架橋される。本発明の半導体装置の製造方法は、単層CNT膜を形成する工程と、単層CNT表面に還元性を付与する工程と、単層CNTの還元性により、金属イオン(M+)を中性金属原子(M0)に還元する工程と、還元された金属原子を核として金属粒子へ成長させ、隣接する単層CNT同士を架橋する工程からなる。

請求項（抜粋）：

単層カーボンナノチューブからなる膜を有する電極、配線およびチャネルの少なくとも何れか1つを有する半導体装置であって、 前記膜において隣接する単層カーボンナノチューブ間が金属粒子を介して架橋されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 29/06 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C01B 31/02

FI (9件)：

H01L29/06 601N ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/288 Z ,  H01L21/88 M ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  C01B31/02 101F

Fターム (58件)：

4G146AA12 ,  4G146AA15 ,  4G146AA16 ,  4G146AB06 ,  4G146AB07 ,  4G146AC20B ,  4G146AD17 ,  4G146AD22 ,  4G146AD30 ,  4G146CB10 ,  4G146CB14 ,  4G146CB20 ,  4G146CB22 ,  4G146CB32 ,  4G146CB34 ,  4G146CB35 ,  4M104AA10 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104DD51 ,  4M104GG09 ,  4M104HH16 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH38 ,  5F033PP26 ,  5F033WW07 ,  5F033XX10 ,  5F110AA03 ,  5F110AA05 ,  5F110AA07 ,  5F110BB01 ,  5F110BB03 ,  5F110BB05 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE08 ,  5F110EE15 ,  5F110FF02 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK17 ,  5F110HK18 ,  5F110QQ06

引用特許：

出願人引用 (2件)

• めっき構造物とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-320407   出願人：信州大学長
• めっき構造物とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-287668   出願人：国立大学法人信州大学