特許
J-GLOBAL ID：201003061485318696

炭素膜を有する半導体装置及びその製造方法

発明者：
日浦 英文

日浦 英文 について

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多田 哲也

多田 哲也 について

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金山 敏彦

金山 敏彦 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について

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独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


代理人 (3件)： 池田 憲保 ,  福田 修一 ,  佐々木 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-297003
公開番号（公開出願番号）：特開2010-120819
出願日： 2008年11月20日
公開日（公表日）： 2010年06月03日
要約：
【課題】 汎用性が高く、低コストで省資源である方法で、任意の場所、任意の形状を持ち、導電性と透明性を両立したグラフェン膜、グラファイト膜、もしくはアモルファス膜が形成された半導体装置及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】 本発明のグラフェン膜、グラファイト膜、もしくはアモルファス膜は、レーザー照射により、様々な炭素材料基板もしくは炭素材料塗布基板から、それに対面して配置される様々な基板上に形成される。レーザーはアブレーション作用と黒鉛化作用を同時に担う。また、レーザーの相対的な走査により、任意の場所、任意の形状のグラフェン膜、グラファイト膜、もしくはアモルファス炭素膜が形成され、これら炭素膜からなる配線、電極、チャネルを備えた半導体装置が製造される。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
レーザーを利用することで、炭素材料基板から、その炭素材料基板に対面し、使用するレーザー光に対して透明な基板へ、前記透明な基板ならびに前記炭素材料基板の両者、もしくは前記レーザー光を走査させつつ、前記炭素材料基板の炭素材料をアブレーション作用により転写することで、前記透明な基板が所定の大きさや形状に成型されたグラフェン膜、グラファイト膜、もしくはアモルファス炭素膜のいずれか1つの膜を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (8件)：
C01B 31/04 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/314
FI (6件)：
C01B31/04 101Z ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/78 627C ,  H01L21/28 301Z ,  H01L21/88 M ,  H01L21/314 A
Fターム (42件)：
4E068AH00 ,  4E068CE02 ,  4E068DA10 ,  4G146AA01 ,  4G146AA02 ,  4G146AB07 ,  4G146AC01B ,  4G146AC16B ,  4G146AC20B ,  4G146AD02 ,  4G146AD29 ,  4G146AD30 ,  4G146BA01 ,  4G146BA02 ,  4G146BA04 ,  4G146BA42 ,  4G146BA43 ,  4G146BA46 ,  4G146BC04 ,  4G146BC10 ,  4G146BC15 ,  4M104BB36 ,  4M104DD33 ,  4M104DD61 ,  5F033GG04 ,  5F033HH00 ,  5F033PP31 ,  5F033QQ00 ,  5F033WW02 ,  5F058BA12 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110GG01 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110QQ01
引用特許：
出願人引用 (9件)
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