特許
J-GLOBAL ID：201003063412319077

磁気抵抗記憶装置及びその製造方法

発明者：
本庄 弘明

本庄 弘明 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 工藤 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-094557
公開番号（公開出願番号）：特開2010-245415
出願日： 2009年04月09日
公開日（公表日）： 2010年10月28日
要約：
【課題】磁界書き込み方式の磁気抵抗記憶装置において、記憶情報の熱的安定性を確保しながら、書き込み電流を低減すること。【解決手段】磁気抵抗記憶装置は、磁気抵抗素子と、第1電流端子及び第2電流端子に接続された配線層と、を備える。データ書き込み時、配線層を通って第1電流端子と第2電流端子との間に書き込み電流が流れる。磁気抵抗素子は、磁化方向が固定された磁化固定層と、書き込み電流により発生する磁界に応じて磁化方向が反転する磁化自由層と、磁化固定層と磁化自由層との間に挟まれた非磁性層と、を備える。配線層は、磁気抵抗素子と少なくともオーバーラップする配線中央部と、配線中央部よりも外側に位置し、配線中央部よりも抵抗値が高い配線側部と、を含む。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
磁気抵抗素子と、 第1電流端子及び第2電流端子に接続された配線層と を備え、 データ書き込み時、前記配線層を通って前記第1電流端子と前記第2電流端子との間に書き込み電流が流れ、 前記磁気抵抗素子は、 磁化方向が固定された磁化固定層と、 前記書き込み電流により発生する磁界に応じて磁化方向が反転する磁化自由層と、 前記磁化固定層と前記磁化自由層との間に挟まれた非磁性層と を備え、 前記配線層は、 前記磁気抵抗素子と少なくともオーバーラップする配線中央部と、 前記配線中央部よりも外側に位置し、前記配線中央部よりも抵抗値が高い配線側部と を含む 磁気抵抗記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08
FI (4件)：
H01L27/10 447 ,  G11C11/15 110 ,  G11C11/15 120 ,  H01L43/08 Z
Fターム (34件)：
4M119AA03 ,  4M119AA06 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC02 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119DD47 ,  4M119EE01 ,  4M119EE22 ,  4M119EE23 ,  4M119EE27 ,  4M119JJ20 ,  5F092AA01 ,  5F092AA08 ,  5F092AB08 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB31 ,  5F092BB33 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BC03 ,  5F092BC07 ,  5F092BC42
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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