特許

J-GLOBAL ID：201003069316455200

フォトレジスパターンの作製方法

発明者： 上野 貢生 ,  三澤 弘明
出願人/特許権者： 国立大学法人北海道大学
代理人 (1件)： 鷲田 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-011965
公開番号（公開出願番号）：特開2010-050431
出願日： 2009年01月22日
公開日（公表日）： 2010年03月04日
要約：

【課題】露光する光の波長の長さに関わらず、例えば可視光波長であったとしても、ナノメートル(好ましくは、シングルナノメートル)の加工分解能を実現するフォトリソグラフィ技術を提供することを目的とする。【解決手段】透明基板に2以上のナノ金属微粒子が配置されたプラズモン共鳴を生じる金属構造体であって、前記ナノ金属微粒子同士のギャップが30nm以下である、金属構造体を準備するステップ;基板表面に成膜された、波長Xの光に感光するフォトレジスト膜を準備するステップ;前記金属構造体をマスクとして、前記フォトレジスト膜に、前記波長Xよりも長い波長Yの光を露光するステップを含む、30nm以下のナノパターンを含むフォトレジスパターンを作製する方法を提供する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

マスク基板に2以上のナノ金属微粒子が配置されたプラズモン共鳴を生じる金属構造体であって、前記ナノ金属微粒子同士のギャップは、30nm以下の間隔の領域を有する、金属構造体からなるフォトマスクを準備するステップ、 基板表面に成膜された、波長Xの光に感光するフォトレジスト膜を準備するステップ、 前記フォトレジスト膜に前記フォトマスクを接触させて、前記波長Xよりも長い波長Yの光を露光するステップを含む、フォトレジスパターンを作製する方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20

FI (5件)：

H01L21/30 502D ,  G03F1/08 D ,  G03F1/08 G ,  H01L21/30 502P ,  G03F7/20 521

Fターム (18件)：

2H095BA04 ,  2H095BB02 ,  2H095BB10 ,  2H095BB25 ,  2H095BB26 ,  2H095BB36 ,  2H095BC06 ,  2H095BC09 ,  5F046AA22 ,  5F046AA25 ,  5F046AA28 ,  5F046BA01 ,  5F046BA10 ,  5F046CA07 ,  5F046CB15 ,  5F046CB17 ,  5F046DA06 ,  5F046DA27