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J-GLOBAL ID：201102215469843560   整理番号：11A1984679

(411)A~(311)A GaAs基板上のAlGaAs/AlAsタイプII量子井戸の光学的特性と基板面方位依存性

著者 (6件)： 谷勇気 (愛媛大 大学院) ,  神野泰輔 (愛媛大 大学院) ,  福澤董 (科技振) ,  白方祥 (愛媛大 大学院) ,  近藤久雄 (愛媛大 大学院) ,  下村哲 (愛媛大 大学院)
資料名： 応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部支部学術講演会講演予稿集  (日本物理学会中国支部・四国支部・応用物理学会中国四国支部・日本物理教育学会中国四国支部支部学術講演会講演予稿集)
巻： 2011  ページ： 110  発行年： 2011年 
JST資料番号： L5917A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムアルミニウム ,  *ヒ化アルミニウム ,  *量子井戸 ,  光学的性質 ,  基板 ,  結晶方位 ,  ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *光ルミネセンス

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： GaAs基板 ,  AlGaAs ,  AlAs ,  タイプ ,  量子井戸 ,  光学的特性 ,  基板面 ,  方位依存性