特許

J-GLOBAL ID：201103002973896039

グラフェンを用いる半導体装置及びその製造方法

発明者： 日浦 英文 ,  二瓶 史行 ,  多田 哲也 ,  金山 敏彦
出願人/特許権者： 日本電気株式会社 ,  独立行政法人産業技術総合研究所
代理人 (3件)： 池田 憲保 ,  福田 修一 ,  佐々木 敬
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-502594
特許番号：特許第4669957号
出願日： 2008年02月27日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体グラフェンからなるチャネル層と、 金属グラフェンからなる配線を兼ねたソース、ドレイン並びにゲートの各電極層と、 チャネル層とゲート電極層を絶縁するゲート絶縁層とを有し、 チャネル層と各電極層が同一平面にあることを特徴とする電界効果を利用する半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 29/06 ( 200 6.01)

FI (6件)：

H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 618 F ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 613 B ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/06 601 N

引用特許：

出願人引用 (1件)

• グラフェン集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-163856   出願人：国立大学法人北海道大学

審査官引用 (1件)

• グラフェン集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-163856   出願人：国立大学法人北海道大学

引用文献：

出願人引用 (1件)

• SCIENCE, 20060326, VOL312, p.1191-1196

審査官引用 (1件)

• SCIENCE, 20060326, VOL312, p.1191-1196