特許
J-GLOBAL ID：201103009127842826

荷電制御強磁性半導体

発明者：
黒田 眞司

黒田 眞司 について

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西沢 望

西沢 望 について

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尾崎 信彦

尾崎 信彦 について

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瀧田 宏樹

瀧田 宏樹 について


出願人/特許権者：
国立大学法人 筑波大学

国立大学法人 筑波大学 について


代理人 (1件)： 光田 敦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-076104
公開番号（公開出願番号）：特開2006-261353
特許番号：特許第4446092号
出願日： 2005年03月16日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 II-VI族半導体のII族原子がCrで置換され、II-VI族半導体のバンドギャップ中にCrのd電子の局在準位が形成されて成り、該d電子の局在準位中にあるフェルミ準位が、添加されるドーパントの濃度によってシフトして強磁性相互作用及び強磁性転移温度が変化する荷電制御強磁性半導体において、 前記Cr濃度は一定であり、 前記電子の局在準位中にあるフェルミ準位が、前記d電子状態密度が最大となる位置になるような濃度でn型ドーパントが添加されていることを特徴とする荷電制御強磁性半導体。
IPC (5件)：
H01F 1/40 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8246 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  H01F 10/193 ( 200 6.01) ,  H01L 29/82 ( 200 6.01)
FI (4件)：
H01F 1/00 A ,  H01L 27/10 447 ,  H01F 10/193 ,  H01L 29/82 Z
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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