特許
J-GLOBAL ID：201103017398297974

強誘電体単結晶製造のための原料組成決定方法、強誘電体単結晶の音響関連物理定数の校正方法、及び弾性表面波デバイスの設計パラメータ決定方法

発明者：
櫛引 淳一

櫛引 淳一 について

, 
大橋 雄二

大橋 雄二 について


出願人/特許権者：
国立大学法人東北大学

国立大学法人東北大学 について


代理人 (3件)： 中尾 直樹 ,  中村 幸雄 ,  草野 卓
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-290711
公開番号（公開出願番号）：特開2006-108940
特許番号：特許第4590549号
出願日： 2004年10月01日
公開日（公表日）： 2006年04月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 強誘電体単結晶製造のための原料組成決定方法において、コングルエント組成の近傍で互いに異なる組成を持つn個(nは2以上の整数)の強誘電体単結晶より予め決めたカット面で切り出した第1の基板の間の化学組成比の差分に対する漏洩弾性表面波速度の差分の比(差分比)の最大値を取る伝搬方向を最大値伝搬方向と定め、各上記強誘電体単結晶の育成軸方向の上部および下部より切り出した第2の基板の漏洩弾性表面波速度を前記最大値伝搬方向で測定し、該測定値より結晶育成軸方向の漏洩弾性表面波速度の分布が0となる真のコングルエント組成Ccを求め、前記強誘電体単結晶の弾性表面波速度に要求される許容幅、又はそれに対応する漏洩弾性表面波速度、キュリー温度、密度又は結晶組成のいずれかの許容幅を用いて上記真のコングルエント組成Ccからのずれの許容幅±△Ccを求め、強誘電体単結晶製造のための原料組成を決める事を特徴とする原料組成決定方法。
IPC (1件)：
H03H 3/08 ( 200 6.01)
FI (1件)：
H03H 3/08
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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