特許
J-GLOBAL ID:201103021238156263

超電導体の着磁方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 高橋 祥泰 ,  岩倉 民芳
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-292539
公開番号(公開出願番号):特開2001-110637
特許番号:特許第3540969号
出願日: 1999年10月14日
公開日(公表日): 2001年04月20日
請求項(抜粋):
【請求項1】超電導遷移温度以下に冷却された超電導体を準備し,該超電導体の近傍に配設した着磁コイルにパルス電流を通電し,これにより発生するパルス磁場を上記超電導体に印加して該超電導体の着磁を行なう着磁方法において,上記超電導体は相対的に臨界電流密度の高い部分と低い部分とを有してなり,上記パルス磁場の上記超電導体の印加に当り,まず初期パルス磁場を印加し,少なくとも臨界電流密度の相対的に低い部分と超電導体中心部に磁場を侵入させ,次いで該初期パルス磁場よりも強度の強い中期パルス磁場を印加し,少なくとも臨界電流密度の相対的に高い部分に磁場を侵入させ,その後上記中期パルスの強度以下の強さの後期パルス磁場を印加し,超電導体中心部から外縁に向けて着磁することを特徴とする超電導体の着磁方法。
IPC (1件):
H01F 13/00
FI (1件):
H01F 13/00 ZAA A
引用特許:
出願人引用 (2件)

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