特許
J-GLOBAL ID：201103023020430234

強誘電体単結晶製造のための原料組成決定方法及び強誘電体単結晶のキュリー温度の校正方法

発明者：
櫛引 淳一

櫛引 淳一 について

, 
大橋 雄二

大橋 雄二 について


出願人/特許権者：
櫛引 淳一

櫛引 淳一 について


代理人 (4件)： 中尾 直樹 ,  中村 幸雄 ,  草野 卓 ,  稲垣 稔
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-103891
公開番号（公開出願番号）：特開2005-289676
特許番号：特許第3934624号
出願日： 2004年03月31日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 強誘電体単結晶製造のための原料組成決定方法であり、 (a) コングルエント組成の近傍で異なる化学組成のn個の単結晶を作製する工程と、nは2以上の整数であり、 (b) 各単結晶の上部及び下部の漏洩弾性表面波速度VT(n)、VB(n)を測定する工程と、 (c) 工程(b) で得られた上記上部及び下部の漏洩弾性表面波速度VT(n)、VB(n)と仕込み時の原料組成との間の関係から、結晶の上部と下部で漏洩弾性表面波速度が一致する原料組成を真のコングルエント組成CCと決定する工程と、 (d) 上記コングルエント組成からの原料組成のずれと結晶組成の関係を求め、既知の漏洩弾性表面波速度と結晶組成の関係から、上記原料組成のずれと結晶組成の関係を使って漏洩弾性表面波速度の許容幅に対応する上記コングルエント組成からのずれの許容幅±ΔCCを求め、強誘電体単結晶製造のための原料組成を決める工程、 とを含むことを特徴とする原料組成決定方法。
IPC (2件)：
C30B 15/20 ( 200 6.01) ,  C30B 29/30 ( 200 6.01)
FI (3件)：
C30B 15/20 ,  C30B 29/30 A ,  C30B 29/30 B
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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引用文献：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (1件)

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