特許

J-GLOBAL ID：201103027755859353

半導体量子ドット素子の製造方法

発明者： 楊 涛 ,  館林 潤 ,  塚本 史郎 ,  荒川 泰彦
出願人/特許権者： 国立大学法人 東京大学
代理人 (1件)： 三好 秀和
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-304978
公開番号（公開出願番号）：特開2005-079182
特許番号：特許第3692407号
出願日： 2003年08月28日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】結晶成長により、半導体基板上に積層して第1の半導体バッファ層を形成する工程と、 結晶成長により、前記第1の半導体バッファ層との間に格子不整合による3次元成長が生じない臨界膜厚以下の膜厚で前記第1の半導体バッファ層上に積層して第2の半導体バッファ層を形成する工程と、 前記第2の半導体バッファ層の表面をアニールするアニール工程と、 前記アニール工程後、結晶成長により、前記第2の半導体バッファ層上に第3の半導体バッファ層を形成する工程と、 結晶成長により、前記第3の半導体バッファ層との間に格子不整合による3次元成長が生じる臨界膜厚以上の膜厚で前記第3の半導体バッファ層上に積層して量子ドット層を形成する工程とを有することを特徴する半導体量子ドット素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/06 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/343

FI (4件)：

H01L 29/06 601 D ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/343