特許

J-GLOBAL ID：201103035098942361

半導体ウエハ支持板及び半導体装置の製造方法

発明者： 原田 享 ,  田窪 知章 ,  高橋 健司 ,  青木 秀夫 ,  沼田 英夫 ,  金子 尚史 ,  江澤 弘和 ,  松尾 美恵 ,  池上 浩 ,  大村 一郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-264730
公開番号（公開出願番号）：特開2006-080398
特許番号：特許第4410068号
出願日： 2004年09月10日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 両面を貫通する貫通孔が設けられ、前記貫通孔の部分により素子を形成する表面の電極が、反対側の裏面へ引き出される半導体ウエハを、支持するための半導体ウエハ支持板であって、 少なくとも1 個以上の前記貫通孔を含む範囲に、両面を貫通し、前記半導体ウエハの貫通孔よりも開口面積が広い開口部が設けられたことを特徴とする半導体ウエハ支持板。

IPC (10件)：

H01L 21/683 ( 200 6.01) ,  C25D 7/12 ( 200 6.01) ,  C25D 17/06 ( 200 6.01) ,  H01L 21/288 ( 200 6.01) ,  H01L 25/065 ( 200 6.01) ,  H01L 25/07 ( 200 6.01) ,  H01L 25/18 ( 200 6.01) ,  H01L 23/12 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3205 ( 200 6.01) ,  H01L 23/52 ( 200 6.01)

FI (7件)：

H01L 21/68 N ,  C25D 7/12 ,  C25D 17/06 C ,  H01L 21/288 E ,  H01L 25/08 Z ,  H01L 23/12 L ,  H01L 21/88 T

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-086152   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-005280   出願人：シャープ株式会社
• 微細空間への金属充填方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-174016   出願人：株式会社フジクラ

審査官引用 (3件)

• マルチチップ半導体装置、ならびにマルチチップ半導体装置用チップおよびその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-305784   出願人：株式会社東芝
• 特開平4-170090
  
• 配線基板の製造方法および配線基板のスルーホール充填用治具
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-254942   出願人：日本特殊陶業株式会社