特許
J-GLOBAL ID:201103039173493760
窒化物薄膜の製造方法
発明者:
,
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出願人/特許権者:
,
代理人 (2件):
山川 政樹
, 山川 茂樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-239363
公開番号(公開出願番号):特開2011-086814
出願日: 2009年10月16日
公開日(公表日): 2011年04月28日
要約:
【課題】窒化物薄膜をより低い結晶成長温度で成長させ、より高いIn組成とすることにより、より高い緑色発光強度の実現が可能な窒化物薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】c軸に平行な結晶面に対して+c軸方向に2°以上傾斜した主表面を備える六方晶系結晶構造を有する結晶基板101を用意(作製)する。言い換えると、六方晶系結晶構造を有する結晶基板101の主表面を、c軸に平行な結晶面に対して+c軸方向に2°以上傾斜させる。次に、結晶基板101の主表面の上に、インジウムを含む窒化物の薄膜121を形成する。【選択図】図1B
請求項(抜粋):
c軸に平行な結晶面に対して+c軸方向に2°以上傾斜した主表面を備える六方晶系結晶構造を有する結晶基板の上に、インジウムを含む窒化物の薄膜を形成する
ことを特徴とする窒化物薄膜の製造方法。
IPC (4件):
H01L 21/205
, C30B 29/38
, C30B 25/18
, C23C 16/34
FI (4件):
H01L21/205
, C30B29/38 D
, C30B25/18
, C23C16/34
Fターム (44件):
4G077AA03
, 4G077BE11
, 4G077BE13
, 4G077BE15
, 4G077DB06
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077HA02
, 4G077TB05
, 4G077TK01
, 4G077TK06
, 4K030AA11
, 4K030AA13
, 4K030BA38
, 4K030BB01
, 4K030BB13
, 4K030CA04
, 4K030CA17
, 4K030FA10
, 5F041AA40
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F045AA04
, 5F045AB09
, 5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045AB18
, 5F045AC08
, 5F045AC09
, 5F045AC12
, 5F045AD09
, 5F045AD11
, 5F045AE25
, 5F045AF04
, 5F045AF05
, 5F045AF06
, 5F045AF13
, 5F045BB07
, 5F045CA10
, 5F045CA11
, 5F045CA12
, 5F045DA53
, 5F045DA57
, 5F045DA63
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