特許

J-GLOBAL ID：201103042261334044

真空プロセス用装置

発明者： 角谷 正友 ,  ミック リップマー ,  大西 剛 ,  藤本 英司 ,  鯉沼 秀臣
出願人/特許権者： 独立行政法人物質・材料研究機構 ,  国立大学法人 東京大学
代理人 (1件)： 西澤 利夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-202634
公開番号（公開出願番号）：特開2008-025017
特許番号：特許第4505553号
出願日： 2006年07月25日
公開日（公表日）： 2008年02月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 真空チャンバー内にて、基板を加熱しながら蒸着する真空プロセス用装置であって、前記チャンバーの一部に光透過性窓が形成されており、当該光透過性窓と前記基板を保持する保持部とを、チャンバー内の他の箇所と隔絶した直線状空間にて繋ぎ、前記光透過性窓の外側にレーザー発振装置を配置し、レーザー発振装置から、前記直線状空間を通って前記基板にレーザー光を照射して加熱することを特徴とする真空プロセス用装置。

IPC (2件)：

C23C 16/46 ( 200 6.01) ,  C23C 14/24 ( 200 6.01)

FI (2件)：

C23C 16/46 ,  C23C 14/24 K

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-195568   出願人：新明和工業株式会社
• レーザ加熱装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-258973   出願人：科学技術振興事業団