光触媒シリカゲルおよびその製造方法

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者： , , , , , ,
代理人 (2件)：須藤政彦 , 須藤政彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-319082
公開番号（公開出願番号）：特開平11-138017
特許番号：特許第3292872号
出願日： 1997年11月05日
公開日（公表日）： 1999年05月25日
請求項（抜粋）：

【請求項1】光がシリカゲルの細孔内に十分に入るようにシルカゲル表面の酸化チタン薄膜を薄く形成し、かつ特定量の酸化チタンをシリカゲル細孔内に含ませて成る光触媒シリカゲルであって、表面に固定された酸化チタン薄膜の平均膜厚が0〜0.4μmの範囲にあり、200°Cで乾燥した状態で0.05〜75重量%の酸化チタンをシリカゲル細孔内に含ませたことを特徴とする光触媒シリカゲル。

IPC (5件)：