特許
J-GLOBAL ID：201103056328147741
超解像画素電極の配置構造及び信号処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (3件)：
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
, 近藤 伊知良
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-360408
公開番号（公開出願番号）：特開2005-129558
特許番号：特許第4635191号
出願日： 2003年10月21日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】センサー素子の寸法により決まる解像度以上の解像度を得るために複数のセンサー部をずらせて配置した高エネルギーX線及びガンマ線の検出装置において、複数のセンサー部と、該センサー部が載置される複数の電極部と、増幅部と、前記電極部と前記増幅部とを接続する複数の配線部とからなり、各電極部と各配線部による合成静電容量を各センサー間で一致させるために、前記センサー部が載置される前記電極部及び前記配線部のパターンの面積を各センサー間で概ね一致させてなる超解像画素電極の配置構造。
IPC (6件)：
H01L 27/14 ( 200 6.01)
, G01T 1/00 ( 200 6.01)
, G01T 1/24 ( 200 6.01)
, H01L 31/10 ( 200 6.01)
, H01L 31/09 ( 200 6.01)
, H04N 5/32 ( 200 6.01)
H01L 27/14 K
, G01T 1/00 B
, G01T 1/24
, H01L 31/10 H
, H01L 31/00 A
, H04N 5/32
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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