特許
J-GLOBAL ID：201103063961025562
超電導体の着磁方法及び超電導磁石装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
高橋 祥泰
, 岩倉 民芳
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-083854
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277333
特許番号：特許第3671726号
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 超電導遷移温度以下の温度に冷却した超電導体に強磁性体を近接させた状態で,着磁コイルにより発生するパルス磁場を印加するに当たり,上記強磁性体は,上記超電導体の着磁方向の片側もしくは両側に対向して配設することを特徴とする超電導体の着磁方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01F 13/00 A
, H01F 7/22 ZAA A
