特許

J-GLOBAL ID：201103065566921144

電界効果トランジスタおよびその製造方法

発明者： 楠 茂 ,  犬石 昌秀
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-176873
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211330
特許番号：特許第2652108号
出願日： 1992年07月03日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 キャリアの流れをゲート電極に加える電圧によって制御する電界効果トランジスタであって、主表面を有する半導体基板と、前記半導体基板中に間を隔てて形成されたソース領域およびドレイン領域と、前記主表面上に形成された窒化酸化膜と、前記主表面上に形成され、窒素濃度が前記窒化酸化膜中の窒素濃度より低くまたは0である酸化膜または窒化酸化膜と、を備え、その酸化膜または窒化酸化膜上に前記ゲート電極が形成されている電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 L