特許

J-GLOBAL ID：201103068813544374

半導体装置

発明者： 小森 重樹 ,  山下 朋弘 ,  犬石 昌秀
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (5件)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  大阿久 敦子 ,  平山 淳 ,  大塚 環
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-026861
公開番号（公開出願番号）：特開平9-223734
特許番号：特許第3602242号
出願日： 1996年02月14日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第一の導電型の半導体基板、上記半導体基板の所定領域の表面上に形成された素子分離絶縁膜、上記半導体基板の他の領域の表面上と上記素子分離絶縁膜の上とに延在して形成された層間絶縁膜、上記半導体基板内に上記半導体基板の表面に並行に上記素子分離領域の下方では相対的に浅く上記他の領域の層間絶縁膜の下方では相対的に深く形成された第一の導電型の不純物層、上記半導体基板内に上記半導体基板の表面に並行に上記不純物層より下部に形成された第一の導電型の不純物帯、上記層間絶縁膜を貫通するとともに少なくとも上記素子分離絶縁膜に接して上記半導体基板の表面に達するコンタクト、上記コンタクトの底面に接して上記半導体基板の表面から上記不純物層を貫通して上記不純物帯より浅く形成された第二の導電型の不純物領域を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 21/90 C ,  H01L 29/78 301 X

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開平3-171672
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-344066   出願人：川崎製鉄株式会社
• 特開平4-002134
  
• 特開昭62-295461
  

審査官引用 (4件)

• 特開平3-171672
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-344066   出願人：川崎製鉄株式会社
• 特開平4-002134
  
• 特開昭62-295461