特許
J-GLOBAL ID：201103071169541688
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
堀口 浩
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-177007
公開番号（公開出願番号）：特開2002-368094
特許番号：特許第4225708号
出願日： 2001年06月12日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜の上または内部中に形成され、レーザ照射により選択的に切断される複数の互いに平行なヒューズを備えているヒューズ配列と、
前記ヒューズの真下の前記ヒューズと重なる領域で、前記層間絶縁膜中に形成されて前記ヒューズから絶縁され、それぞれ前記ヒューズの幅よりも小さく、前記ヒューズと重なる領域の外側には存在せず前記ヒューズと重なる領域の内側に配列された複数の配線層を備えた配線層配列と、
を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/82 ( 200 6.01)
, H01L 21/3205 ( 200 6.01)
, H01L 23/52 ( 200 6.01)
H01L 21/82 F
, H01L 21/82 R
, H01L 21/88 S
