電磁波発生素子

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：谷義一 , 阿部和夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-064496
公開番号（公開出願番号）：特開2006-251086
特許番号：特許第4454523号
出願日： 2005年03月08日
公開日（公表日）： 2006年09月21日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板上に、閃亜鉛鉱構造のIII-V族およびII-VI族のどちらか一方の化合物半導体からなる光導波路を備え、前記光導波路は、[111]軸方向および結晶的に等価な軸方向のどちらか一方が互いに反平行になるように、複数の化合物半導体ウェハーを{110}面を積層面として接合し、一方のウェハーに起点を持つ光導波路が他方のウェハーを通過し、また元のウェハーを通過することを周期的に繰り返す形状であり、前記ウェハーの接合面との対向する面には反射部が形成されていることを特徴とする電磁波発生素子。

IPC (1件)：