特許

J-GLOBAL ID：201103086224769569

半導体装置

発明者： 池上 浩 ,  佐々木 圭一 ,  早坂 伸夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (7件)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  坪井 淳 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  河井 将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-073487
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269345
特許番号：特許第3648399号
出願日： 1999年03月18日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】波長1000〜1100nm、ビーム径Dのレーザを照射することにより切断されるリンダンダンシ用のヒューズを具備する半導体装置において、前記ヒューズの膜厚T及び幅Wが、T≦(-0.15(D+2σ)+0.46)exp(2W)(σはレーザの中心とヒューズの中心との合わせ精度)の条件を満たす事を特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/82 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (2件)：

H01L 21/82 F ,  H01L 27/04 M

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開平4-363049