特許
J-GLOBAL ID:201103091880330020

マグネシウム基水素化物の製造方法及びマグネシウム基水素化物の製造装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 河野 登夫 ,  河野 英仁
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-125866
公開番号(公開出願番号):特開2008-044832
特許番号:特許第4083786号
出願日: 2007年05月10日
公開日(公表日): 2008年02月28日
請求項(抜粋):
【請求項1】 マグネシウムを主成分とする原料粉体を封入容器内に封入した水素ガス雰囲気中に保持しておき、 前記封入容器内の水素ガス雰囲気の圧力を所定圧力に維持し、 前記封入容器内の水素ガス雰囲気の温度を室温から上昇させ、 前記封入容器内の水素ガス雰囲気の温度を、単体のマグネシウム及び水素分子が化合して水素化マグネシウムが生成する反応と逆反応との平衡曲線上の前記所定圧力に対応する温度よりも高温で、前記温度からの温度差が100°C以内である温度に、所定の第1期間維持することによって、前記原料粉体表面の被膜を除去し、 次に、前記封入容器内の水素ガス雰囲気の温度を、室温へ戻さずに、前記平衡曲線上の前記所定圧力に対応する温度よりも低温で、前記温度からの温度差が100°C以内である温度に、所定の第2期間維持することによって、前記原料粉体からマグネシウム基水素化物を製造すること を特徴とするマグネシウム基水素化物の製造方法。
IPC (4件):
C01B 6/04 ( 200 6.01) ,  C01B 6/00 ( 200 6.01) ,  C01B 3/06 ( 200 6.01) ,  H01M 8/06 ( 200 6.01)
FI (4件):
C01B 6/04 ,  C01B 6/00 A ,  C01B 3/06 ,  H01M 8/06 R
引用特許:
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (9件)
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