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J-GLOBAL ID：201202158076904855   整理番号：12A1345739

AFM局所酸化プロセスを用いたサイドゲートFETの作製

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著者 (7件)：
坂野時習

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立木実

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梅澤仁

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福田徹

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須方健太

須方健太 について

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瀬尾北斗

瀬尾北斗 について

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川原田洋

川原田洋 について


資料名：
応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)

応用物理学会学術講演会講演予稿集 について


巻： 61st  号： 2  ページ： 464  発行年： 2000年09月03日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
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AFM

AFM について

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局所酸化

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プロセス

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サイドゲート

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FET

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