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J-GLOBAL ID：201202168477129280   整理番号：12A1417970

部分空乏型SOI-MOSFETの基板浮遊効果による不安定性に関する研究

著者 (7件)： 阿保智 (大阪大 極限科学研究セ) ,  水谷斉治 (大阪大 極限科学研究セ) ,  前川繁登 (三菱電機) ,  岩松俊明 (三菱電機) ,  犬石昌秀 (三菱電機) ,  西村正 (三菱電機) ,  高井幹夫 (大阪大 極限科学研究セ)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 48th  号： 2  ページ： 917  発行年： 2001年03月28日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (5件)： 部分空乏型SOI ,  MOSFET ,  基板浮遊効果 ,  不安定性 ,  研究