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J-GLOBAL ID：201202185807224260   整理番号：12A1345767

AFM局所酸化法によって作製した水素終端ダイヤモンド表面伝導層絶縁領域の電気特性評価

著者 (7件)： 福田徹 ,  立木実 ,  梅沢仁 ,  瀬尾北斗 ,  須方健太 ,  坂野時習 ,  川原田洋
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 61st  号： 2  ページ： 473  発行年： 2000年09月03日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (9件)： AFM ,  局所酸化 ,  作製 ,  水素終端 ,  ダイヤモンド ,  表面伝導 ,  絶縁 ,  電気特性 ,  評価