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文献
J-GLOBAL ID:201202213626869026   整理番号:12A0589329

AlGaAs/ AlAsタイプII量子井戸のMBE成長と成長温度依存性

著者 (6件):
資料名:
巻: 59th  ページ: ROMBUNNO.16A-A8-4  発行年: 2012年02月29日 
JST資料番号: Y0054B  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜  ,  半導体の表面構造 

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