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J-GLOBAL ID：201202234054359797   整理番号：12A1438580

球状ディンプル研磨した(411)A基板上のGaAs/AlGaAs量子井戸のMBE成長

著者 (2件)： 滝口雅博 (愛媛大 大学院) ,  下村哲 (愛媛大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 73rd  ページ： ROMBUNNO.11A-J-3  発行年： 2012年08月27日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム ,  *ヒ化ガリウム ,  基板 ,  表面 ,  研磨 ,  凹面 ,  *量子井戸 ,  *MBE成長 ,  *結晶方位 ,  光学顕微鏡法 ,  多層膜 ,  *表面構造 ,  *表面粗さ
準シソーラス用語： ディンプル ,  表面テクスチャー ,  表面凹凸

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (7件)： 球状 ,  ディンプル ,  研磨 ,  GaAs ,  AlGaAs ,  量子井戸 ,  MBE成長