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J-GLOBAL ID：201202234795267326   整理番号：12A1439168

大気圧CVD法で作製した無添加及びGa添加ZnO薄膜におけるキャリア輸送特性-イオンプレーティング法薄膜との比較-

著者 (8件)： 藤本翔平 (愛媛大 大学院) ,  嶋田忠史 (愛媛大 工) ,  寺迫智昭 (愛媛大 大学院) ,  宮田晃 (愛媛大 工) ,  SONG Huaping (高知工科大) ,  牧野久雄 (高知工科大) ,  山本哲也 (高知工科大) ,  白方祥 (愛媛大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 73rd  ページ： ROMBUNNO.12P-PB8-13  発行年： 2012年08月27日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 化学蒸着 ,  *酸化亜鉛 ,  酸化物 ,  *薄膜 ,  *輸送現象 ,  イオンめっき
準シソーラス用語： 大気圧化学蒸着 ,  酸化物薄膜 ,  *キャリア輸送 ,  イオンプレーティング法

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (9件)： 大気圧 ,  CVD法 ,  作製 ,  Ga ,  ZnO薄膜 ,  キャリア ,  輸送特性 ,  イオンプレーティング法 ,  薄膜