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J-GLOBAL ID：201202260724429598   整理番号：12A0589330

(775)B InP基板上にMBE成長したInGaAs層またはInAlAs層の表面コラゲーションの組成依存性

著者 (3件)： 西松佑真 (愛媛大 大学院) ,  宮田哲弥 (愛媛大 大学院) ,  下村哲 (愛媛大 大学院)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 59th  ページ： ROMBUNNO.16A-A8-5  発行年： 2012年02月29日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,  半導体薄膜 ,  MBE成長 ,  *リン化インジウム ,  基板 ,  形態 ,  原子間力顕微鏡 ,  格子整合 ,  *量子細線 ,  面発光レーザ
準シソーラス用語： *ヒ化アルミニウムインジウム ,  表面形状 ,  *コラゲーション

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A) ,  半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (6件)： InP ,  MBE成長 ,  InGaAs ,  InAlAs ,  表面コラゲーション ,  組成依存性